HFSS端口詳解:Lumped Port和Wave Port的區(qū)別

2016-10-13 by:CAE仿真在線來源:互聯(lián)網(wǎng)

概述:

上兩周我們已經(jīng)介紹了一下Lumped Port和Wave Port的使用,本周我們針對前兩周的內(nèi)容做個對比和小結(jié)。

1.Lumped Port是內(nèi)部端口,Wave Port是外部端口:

Lumped Port相當于用測試系統(tǒng)如探針給傳輸線加激勵,Wave Port相當于用傳輸線給傳輸線加激勵;因此Lumped Port需要指定端口阻抗,Wave Port自動求解端口阻抗。此外,Wave Port加上“conductive cap”可以當內(nèi)部端口用。

2.Lumped Port的激勵是電流和電壓,Wave Port的激勵是電磁波:

Lumped Port只能用于TEM模式或準TEM模式,不能進行Deembeding;Wave Port沒有這些限制。

3.Lumped Port和Wave Port的外表面的邊界定義有差別:

Lumped Port的兩側(cè)面區(qū)域為Profect H,其他面為Profect E;Wave Port的所有外表面均為Profect E。

4.Lumped Port和Wave Port的尺寸要求有差異:

(1)Wave port所在的截面一定要均勻。Wave Port的尺寸要求如下:

(2)Lumped Port的寬度要與傳輸線等寬,長度小于λ/100,Lumped Port的尺寸如下圖:

上圖中左邊的Lumped Port太細,本身會引入比較大的寄生RL效應(yīng),并且此時的電壓饋入點沒有覆蓋整個走線。

5.Lumped Port可以模擬RLC的寄生效應(yīng),Wave Port不行:

Lumped Port模擬RLC的寄生效應(yīng)的情況如下圖:

6.Lumped Port必須定義積分線,Wave Port只有特定情況才需要:

Wave Port需要定義積分線的情況如下圖:

以上是Wave Port和Lumped port的一些主要區(qū)別,其他還有一些小的方面就不一一列舉了,大家感興趣的可以自己去查閱相關(guān)資料。

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